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2024-08
onsemi安森美FGY75T120SQDN芯片IGBT 1200V 75A UFS的技术和应用介绍
标题：onsemi安森美FGY75T120SQDN芯片IGBT 1200V 75A UFS技术及应用详解 onsemi安森美FGY75T120SQDN芯片是一款1200V 75A UFS的IGBT（绝缘栅双极晶体管），具有高效、可靠、节能等特点，广泛应用于电力电子、新能源、电动汽车等领域。 技术特点： 1. 高压大电流设计，适用于高压大电流应用场景； 2. 快速开关特性，具有高频率、低损耗的特点； 3. 良好的热稳定性，能够适应高温、高功率的工作环境； 4. 采用先进封装技术，具有高可靠性和耐
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2024-08
onsemi安森美FGH75T65SQDNL4芯片650V/75 FAST IGBT FSIII T的技术和应用介绍
标题：onsemi安森美FGH75T65SQDNL4芯片：650V/75 FAST IGBT FSIII T的技术与应用介绍 onsemi安森美FGH75T65SQDNL4芯片是一款高性能的650V/75 FAST IGBT FSIII T，其独特的性能和应用领域在业界备受瞩目。 技术特点上，该芯片采用了安森美独有的FAST（快速）IGBT技术，使得芯片的开关速度大大提高，功耗和发热量显著降低。同时，FAST IGBT技术还具有高效率和卓越的动态性能，使其在各种电源应用中表现出色。此外，FSI
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2024-08
onsemi安森美NGTB40N120FL3WG芯片IGBT 1200V 160A TO247的技术和应用介绍
标题：onsemi安森美NGTB40N120FL3WG芯片IGBT 1200V 160A TO247的技术与应用介绍 安森美（onsemi）是一家全球知名的半导体公司，其NGTB40N120FL3WG芯片IGBT是一种高性能的半导体器件，具有1200V的耐压和160A的电流规格，适用于各种电子设备中。 该芯片采用TO247封装形式，具有较高的热导率和良好的电性能，能够承受较大的电流和电压，适用于高温和高功率的场合。此外，该芯片还具有较高的开关速度和较低的损耗，能够提高电子设备的效率和可靠性。
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2024-08
onsemi安森美FGH75T65SHDT-F155芯片IGBT 650V 150A 455W TO-247的技术和应用介绍
标题：onsemi安森美FGH75T65SHDT-F155芯片IGBT 650V 150A 455W TO-247技术与应用介绍 安森美（onsemi）的FGH75T65SHDT-F155芯片IGBT是一款适用于各种电子设备的核心元件，其650V的电压和150A的电流规格使其在高端应用中具有出色的性能。TO-247封装形式则使其在小型化、轻量化方面具有显著的优势。 技术特点： * 650V、150A的IGBT规格，适用于各种需要大电流、高电压的电子设备； * TO-247封装形式，具有小型化、
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2024-07
onsemi安森美FGH50T65UPD芯片IGBT TRENCH/FS 650V 100A TO247-3的技术和应用介绍
标题：onsemi安森美FGH50T65UPD芯片IGBT TRENCH/FS 650V 100A TO247-3技术与应用介绍 onsemi安森美FGH50T65UPD芯片是一款高性能的IGBT（绝缘栅双极晶体管）芯片，适用于各种电子设备中电力转换和控制的应用。该芯片采用TRENCH/FS技术，具有650V和100A的规格，适用于大功率的开关和驱动场景。 该芯片采用TO247-3封装形式，具有高集成度和小型化的特点，适用于各种便携式设备和小型化产品中。其性能优势包括高开关速度、低损耗、高效率
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2024-07
onsemi安森美AFGHL40T65SQ芯片AEC 101 QUALIFIED, 650V, 40A FIE的技术和应用介绍
标题：onsemi安森美AFGHL40T65SQ芯片：AEC 101 QUALIFIED，650V，40A FIE的技术与应用介绍 onsemi安森美是一家全球知名的半导体公司，其推出的AFGHL40T65SQ芯片是一款具有出色性能的电源管理芯片。这款芯片具有650V的耐压能力和40A的电流能力，适用于各种高功率应用场景。值得一提的是，该芯片还通过了AEC 101 QUALIFIED认证，这意味着它在温度、湿度和气压等环境条件下具有优异的性能表现。 在技术特性方面，AFGHL40T65SQ芯片
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2024-07
onsemi安森美FGH40T65SHDF-F155芯片IGBT FIELD STOP 650V 80A TO247-3的技术和应用介绍
标题：onsemi安森美FGH40T65SHDF-F155芯片IGBT FIELD STOP 650V 80A TO247-3技术与应用介绍 onsemi安森美FGH40T65SHDF-F155芯片是一款高性能的IGBT FIELD STOP 650V 80A TO247-3器件，它以其独特的特性在电力电子领域中发挥着重要的作用。 首先，我们来了解一下这款芯片的特点。FGH40T65SHDF-F155芯片采用了先进的650V技术，能够承受高达80A的电流，同时保持低导通电阻，从而实现了高效、快
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2024-07
onsemi安森美FGD3050G2芯片IGBT 500V 27A DPAK-3的技术和应用介绍
标题：onsemi安森美FGD3050G2芯片IGBT 500V 27A DPAK-3的技术与应用介绍 onsemi安森美FGD3050G2芯片IGBT 500V 27A DPAK-3是一种高性能的绝缘栅双极晶体管（IGBT），广泛应用于各种电子设备中，如电力转换器、电机驱动器、加热器和电源模块等。 技术特点： 1. 高压、大电流设计，适用于高功率应用场景； 2. 快速开关特性，能够快速响应负载变化，提高效率； 3. 高可靠性和耐久性，适用于恶劣工作环境； 4. 集成度高，采用DPAK封装，减
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2024-07
onsemi安森美FGH60N60SMD芯片IGBT FIELD STOP 600V 120A TO247的技术和应用介绍
标题：onsemi安森美FGH60N60SMD芯片IGBT FIELD STOP 600V 120A TO247的技术与应用介绍 onsemi安森美是一家全球知名的半导体公司，其FGH60N60SMD芯片是一款高性能的IGBT（绝缘栅双极晶体管）芯片，具有600V和120A的规格，适用于大功率开关和转换应用。 技术特点： 1. 这款芯片采用了先进的IGBT技术，具有高开关速度和低损耗的特点，适用于各种工业和电源应用。 2. 它具有出色的热性能和可靠性，能够承受高电流和高电压的负载，同时保持稳定
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2024-07
onsemi安森美HGTG11N120CND芯片IGBT NPT 1200V 43A TO247-3的技术和应用介绍
标题：onsemi安森美HGTG11N120CND芯片IGBT NPT 1200V 43A TO247-3技术与应用介绍 onsemi安森美HGTG11N120CND芯片是一款高性能的绝缘栅双极型晶体管（IGBT），适用于各种工业应用和高电压大电流的电源系统。该芯片采用TO247-3封装，工作电压高达1200V，最大电流达43A，具有高输入阻抗、快速开关特性、低导通压降等优点。 技术特点： * 高输入阻抗：HGTG11N120CND芯片具有高输入阻抗，降低了功耗，提高了电源效率。 * 快速开关
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2024-07
onsemi安森美FGHL50T65SQ芯片FS4TIGBT TO247 50A 650V的技术和应用介绍
标题：onsemi FGHL50T65SQ芯片：FS4TIGBT TO247 50A 650V的技术与应用详解 onsemi安森美FGHL50T65SQ芯片是一款高性能的FS4TIGBT TO247 50A 650V器件，它以其卓越的性能和广泛的应用领域，在电力电子领域中发挥着至关重要的作用。 FGHL50T65SQ芯片采用了先进的半导体技术，具有高耐压、大电流和高效率等特点。其TO247封装形式使得该芯片在空间有限的应用场景中具有出色的适应性。此外，该芯片还具有出色的热性能和可靠性，使其在各
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2024-07
onsemi安森美ISL9V5036S3ST芯片IGBT 390V 46A 250W TO263AB的技术和应用介绍
标题：onsemi ISL9V5036S3ST芯片IGBT 390V 46A 250W TO263AB：技术与应用详解 onsemi ISL9V5036S3ST芯片是一款高性能的绝缘栅双极晶体管（IGBT），其采用TO263AB封装，具有390V的额定电压，46A的额定电流，以及高达250瓦的额定功率。这款高效、可靠的IGBT在各种工业应用中发挥着关键作用，包括电力转换、电机驱动和加热器控制等。 技术特点上，ISL9V5036S3ST IGBT具有高速开关性能和低导通电阻，使其在转换高效能和节