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2024-08
onsemi安森美FGHL75T65LQDT芯片FS4 LOW VCESAT IGBT 650V 75A TO2的技术和应用介绍
标题：onsemi FGHL75T65LQDT芯片：FS4低VCESAT IGBT 650V 75A TO2的技术与应用介绍 onsemi FGHL75T65LQDT芯片是一款高性能的IGBT（绝缘栅双极晶体管）模块，它采用了先进的FS4低VCESAT技术，具有高耐压、大电流和高效率等特点。该芯片采用TO2封装形式，适用于各种电源和电机驱动系统。 技术特点： * 高压650V耐压，电流可达75A； * 采用FS4低VCESAT技术，降低了饱和电压，提高了效率； * 内部集成热敏电阻和过热保护功
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2024-08
onsemi安森美FGHL75T65MQD芯片IGBT 650V 75A TO247的技术和应用介绍
标题：onsemi安森美FGHL75T65MQD芯片IGBT 650V 75A TO247的技术和应用介绍 onsemi安森美FGHL75T65MQD芯片是一款高性能的IGBT（绝缘栅双极晶体管）模块，采用TO247封装，适用于各种高效率的电源转换应用。该芯片具有650V的耐压和75A的电流规格，适用于需要高效、高功率转换的电子设备。 技术特点： 1. 650V的耐压和75A的电流规格，使得FGHL75T65MQD芯片在电源转换应用中具有出色的性能。 2. 采用TO247封装，具有高散热性能，
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2024-08
onsemi安森美FGH75T65UPD芯片IGBT 650V 150A 375W TO-247AB的技术和应用介绍
标题：onsemi安森美FGH75T65UPD芯片IGBT 650V 150A 375W TO-247AB的技术和应用介绍 onsemi安森美FGH75T65UPD芯片是一款高性能的IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) 650V 150A 375W TO-247AB封装产品，具有广泛的技术和应用前景。 技术特性方面，FGH75T65UPD采用了先进的IGBT技术，具有更高的开关速度和更低的功耗。其650V的电压规格能够承受较大的电流和功率，适用于各种
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2024-08
onsemi安森美FGHL50T65MQDT芯片FS4 MID SPEED IGBT 650V 50A TO24的技术和应用介绍
标题：onsemi安森美FGHL50T65MQDT芯片：FS4 MID SPEED IGBT 650V 50A TO24的技术与应用介绍 安森美（onsemi）FGHL50T65MQDT芯片是一款高性能的FS4 MID SPEED IGBT 650V 50A TO24。这款芯片以其卓越的性能和广泛的应用领域，在电力电子领域中占据着重要的地位。 技术特点： 1. 芯片采用先进的650V SiC技术，确保高效率和高可靠性。 2. 芯片内部集成有栅极驱动和保护功能，简化电路设计。 3. 芯片具有高速
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2024-08
onsemi安森美FGHL40T65MQD芯片IGBT 650V 40A TO247的技术和应用介绍
标题：onsemi安森美FGHL40T65MQD芯片IGBT 650V 40A TO247的技术和应用介绍 安森美（onsemi）FGHL40T65MQD芯片IGBT 650V 40A TO247是一种高性能的绝缘栅双极晶体管（IGBT），其应用广泛，包括电力转换、电力电子和电机驱动等领域。 技术特点： 1. 额定电压高达650V，电流容量为40A，适用于各种大功率应用场景。 2. 采用TO247封装形式，具有小型化、轻量化和高可靠性的特点。 3. 内置热敏电阻，能够快速检测并处理过热情况，保
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2024-08
onsemi安森美FGA40T65SHD芯片IGBT TRENCH/FS 650V 80A TO3PN的技术和应用介绍
标题：onsemi安森美FGA40T65SHD芯片IGBT TRENCH/FS 650V 80A TO3PN技术与应用介绍 onsemi安森美FGA40T65SHD芯片是一款应用于650V平台的高效能IGBT（绝缘栅双极晶体管）模块，其具有80A的额定电流，采用TO3PN封装形式，适用于各种工业应用领域。 技术特点： 1. 高频响应：该芯片在高频领域表现出色，适用于电机驱动、逆变器等高频率应用场景。 2. 高效能：FGA40T65SHD芯片具有较高的开关速度和较低的损耗，有助于提高系统效率。
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2024-08
onsemi安森美FGD3325G2-F085V芯片ECOSPARK 2 330MJ, 250V, N的技术和应用介绍
标题：onsemi安森美FGD3325G2-F085V芯片：ECOSPARK 2 330MJ, 250V, N的技术与应用介绍 安森美FGD3325G2-F085V芯片是一款高性能的电源管理芯片，具有ECOSPARK 2 330MJ, 250V, N的特点。这款芯片以其出色的性能和广泛的应用领域，在电子行业中发挥着越来越重要的作用。 技术特点： 1. 高压性能：FGD3325G2-F085V芯片能够在250V的高电压下稳定工作，具有出色的耐压性能。 2. 快速瞬态响应：该芯片具有快速的瞬态响应
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2024-08
onsemi安森美FGH40T120SQDNL4芯片IGBT 1200V 40A UFS FOR SO的技术和应用介绍
标题：onsemi安森美FGH40T120SQDNL4芯片IGBT 1200V 40A UFS FOR SO的技术和应用介绍 onsemi安森美是一家全球知名的半导体解决方案提供商，其FGH40T120SQDNL4芯片IGBT是一款高性能的半导体器件，适用于各种应用场景。这款芯片的最大特点是其强大的性能和可靠性，适用于各种高温、高压和高频率的应用环境。 FGH40T120SQDNL4芯片IGBT采用先进的工艺技术，具有高耐压、大电流和高频率响应等优点。其工作电压高达1200V，最大电流为40A
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2024-08
onsemi安森美FGH75T65SQDT-F155芯片650V 75A FS4 TRENCH IGBT的技术和应用介绍
标题：onsemi安森美FGH75T65SQDT-F155芯片：技术与应用详解 onsemi安森美FGH75T65SQDT-F155芯片是一款高性能的IGBT（绝缘栅双极晶体管）器件，具有650V 75A的额定电流和4.5us的栅极响应时间，适用于各种电源和电机控制应用。 技术特点： 1. 高性能：FGH75T65SQDT-F155芯片具有出色的开关性能，可在高频率下稳定工作，适用于各种电源变换和电机控制应用。 2. 栅极响应时间快：4.5us的栅极响应时间使得芯片在驱动和控制方面具有优势，能
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2024-08
onsemi安森美AFGHL40T65SQD芯片AEC 101 QUALIFIED, 650V, 40A FIE的技术和应用介绍
标题：onsemi安森美AFGHL40T65SQD芯片：AEC 101认证，650V，40A FIE的技术与应用介绍 onsemi安森美是一家全球知名的半导体制造商，其AFGHL40T65SQD芯片是一款高性能的开关电源整流管。这款芯片具有650V的电压耐压和40A的电流规格，使其在各种高功率应用中具有出色的性能。值得一提的是，该芯片还通过了AEC 101认证，进一步证明了其在汽车电子系统的可靠性。 AFGHL40T65SQD的主要技术特点包括快速导通和断态电压恢复时间短，这使得它能够快速响应
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2024-08
onsemi安森美AFGHL50T65SQD芯片AEC 101 QUALIFIED, 650V, 50A FIE的技术和应用介绍
标题：onsemi安森美AFGHL50T65SQD芯片：AEC 101 QUALIFIED，650V，50A FIE的技术与应用介绍 onsemi安森美是一家全球知名的半导体公司，其推出的AFGHL50T65SQD芯片是一款备受瞩目的产品。这款芯片以其卓越的性能和广泛的应用领域，成为了电子行业的明星产品。 AFGHL50T65SQD芯片采用了先进的650V技术，能够承受高达50A的电流。它的出色性能得益于其独特的电路设计和先进的生产工艺。这款芯片在各种恶劣环境下都能保持稳定的性能，因此被广泛应
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2024-08
onsemi安森美FGH60T65SQD-F155芯片IGBT TRENCH/FS 650V 120A TO247-3的技术和应用介绍
标题：onsemi安森美FGH60T65SQD-F155芯片IGBT技术与应用介绍 onsemi安森美FGH60T65SQD-F155芯片IGBT是一款应用于工业电源和电动汽车等领域的650V/120A TO247-3封装的绝缘栅双极晶体管（IGBT）。该芯片凭借其高效、可靠和节能的特性，在业界赢得了广泛的赞誉。 首先，我们来了解一下IGBT的基本原理。IGBT是一种复合型功率半导体器件，它将场效应晶体管（FET）和双极型功率晶体管（BJT）的优点结合在一起，具有开关速度快、损耗小、耐压高、电