芯片产品
热点资讯
- onsemi安森美FGH75T65SHDT-F155芯片IGBT 650V 150A 455W TO-247的技术和应用介绍
- onsemi安森美FGHL40T65MQD芯片IGBT 650V 40A TO247的技术和应用介绍
- Xilinx XC6SLX4-2TQG144I
- onsemi安森美NGB8206NTF4G芯片INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO的技术和应用介绍
- onsemi安森美ADP3421JRU
- onsemi安森美FGD3050G2芯片IGBT 500V 27A DPAK-3的技术和应用介绍
- onsemi安森美NCP81141MNTXG芯片
- onsemi安森美NCP5382MNR2G芯片IC REG CTRLR INTEL 6OUT 48QFN的技术和应用介绍
- onsemi安森美FGB40N60SM芯片IGBT FIELD STOP 600V 80A D2PAK的技术和应用介绍
- onsemi安森美NGTB30N120FL2WG芯片IGBT TRENCH/FS 1200V 60A TO247的技术和应用介绍
-
27
2024-10
onsemi安森美FGB40N60SM芯片IGBT FIELD STOP 600V 80A D2PAK的技术和应用介绍
标题：onsemi安森美FGB40N60SM芯片IGBT FIELD STOP 600V 80A D2PAK技术与应用介绍 onsemi安森美FGB40N60SM芯片是一款具有IGBT FIELD STOP技术的600V 80A D2PAK封装器件。这款芯片以其出色的性能和广泛应用在电力电子领域中，赢得了业界的广泛赞誉。 首先，我们来了解一下这款芯片的特点。FGB40N60SM采用先进的IGBT FIELD STOP技术，能够在高电压和高电流条件下保持高效运行。该技术通过优化器件内部的磁场分布
-
26
2024-10
onsemi安森美NGD8205NT4G芯片IGBT 390V 20A 125W DPAK的技术和应用介绍
标题：onsemi安森美NGD8205NT4G芯片：IGBT 390V 20A 125W DPAK的技术与应用详解 onsemi安森美是一家全球知名的半导体公司，其NGD8205NT4G芯片是一款高性能的绝缘栅双极型晶体管（IGBT）。这款芯片具有390V的额定电压，高达20A的额定电流，以及125瓦的额定功率，适用于各种电子设备。 首先，我们来了解一下IGBT的基本原理。它是一种复合型晶体管，结合了BJT和FET的特性，具有开关速度快、热稳定性好、驱动电压低等优点。NGD8205NT4G芯片
-
25
2024-10
onsemi安森美FGB5N60UNDF芯片IGBT NPT 600V 10A D2PAK的技术和应用介绍
标题：onsemi安森美FGB5N60UNDF芯片IGBT NPT 600V 10A D2PAK技术与应用介绍 onsemi安森美FGB5N60UNDF芯片是一款高性能的绝缘栅双极晶体管（IGBT），其额定电压高达600V，电流容量为10A，封装为D2PAK，适用于各种电子设备中。这款芯片以其出色的性能和广泛的应用领域，成为了市场上的热门选择。 技术特点： 1. 高电压：FGB5N60UNDF芯片的额定电压高达600V，能够承受较高的电压和电流，适用于需要大功率输出的设备。 2. 高电流容量：
-
24
2024-10
onsemi安森美TIG052TS-TL-E芯片IGBT 400V 8TSSOP的技术和应用介绍
标题：onsemi安森美TIG052TS-TL-E芯片IGBT 400V 8TSSOP的技术与应用介绍 onsemi安森美TIG052TS-TL-E芯片IGBT 400V 8TSSOP是一种先进的功率半导体器件，广泛应用于各种电子设备中。该器件采用先进的工艺技术，具有高耐压、高电流、低损耗等优点，因此在电力电子和电机控制等领域具有广泛的应用前景。 技术特点： 1. 高耐压：TIG052TS-TL-E芯片IGBT的额定电压高达400V，能够承受较高的电压和电流。 2. 高电流能力：该器件具有较高
-
23
2024-10
onsemi安森美FGP5N60LS芯片IGBT FIELD STOP 600V 10A TO220-3的技术和应用介绍
标题：onsemi安森美FGP5N60LS芯片IGBT FIELD STOP 600V 10A TO220-3技术与应用介绍 安森美（onsemi）作为全球知名的半导体公司，其FGP5N60LS芯片IGBT FIELD STOP 600V 10A TO220-3在电力电子领域具有广泛的应用前景。这款芯片采用了先进的IGBT技术，具有高效率、高功率密度、高可靠性等优点，适用于各种工业和家用电器中。 FGP5N60LS芯片IGBT FIELD STOP 600V 10A TO220-3的主要技术特
-
22
2024-10
onsemi安森美FGI3236-F085芯片IGBT 360V 44A 187W I2PAK的技术和应用介绍
标题：onsemi安森美FGI3236-F085芯片：IGBT技术与应用详解 onsemi安森美FGI3236-F085芯片是一款高性能的IGBT（绝缘栅双极晶体管）模块，适用于各种电源应用场景。该芯片具有360V的电压耐受能力，可承受高达44A的电流，以及高达187W的功率输出，为各类电源系统提供了强大的驱动能力。 IGBT作为一种新型的功率半导体器件，具有开关速度快、热稳定性好、体积小等优点，在电源系统中的应用越来越广泛。FGI3236-F085芯片采用了先进的I2PAK封装技术，大大提高
-
20
2024-10
onsemi安森美NGB8207NT4G芯片IGBT 365V 20A 165W D2PAK的技术和应用介绍
标题：onsemi安森美NGB8207NT4G芯片IGBT 365V 20A 165W D2PAK技术与应用详解 onsemi安森美NGB8207NT4G芯片IGBT是一款高性能的半导体功率器件，具有365V 20A的规格和高达165W的输出功率。它采用D2PAK封装，具有体积小、效率高、耐压高、电流大等特点，适用于各种电源和电机控制应用。 技术解析：NGB8207NT4G芯片IGBT采用了先进的栅极驱动技术，降低了驱动所需的电流和时间，提高了驱动的可靠性和效率。同时，它还采用了分立式热沉结构
-
19
2024-10
onsemi安森美NGB8206NG芯片IGBT 390V 20A 150W D2PAK的技术和应用介绍
标题：onsemi安森美NGB8206NG芯片IGBT 390V 20A 150W D2PAK技术与应用详解 onsemi安森美NGB8206NG芯片是一款高性能的绝缘栅双极晶体管（IGBT），具有390V、20A、150W的规格，封装为D2PAK，适用于各种电子设备的设计和应用。 技术解析：NGB8206NG芯片采用先进的半导体工艺技术制造，具有高耐压、大电流、低损耗和高开关速度等特性。其内部结构包括多个模块，每个模块都由多个IGBT晶体管组成，具有极高的效率和可靠性。此外，该芯片还具有自动
-
18
2024-10
onsemi安森美HGTG30N60B3芯片IGBT 600V 60A 208W TO247的技术和应用介绍
标题：onsemi安森美HGTG30N60B3芯片IGBT 600V 60A 208W TO247的技术和应用介绍 onsemi安森美是一家全球知名的半导体公司，其HGTG30N60B3芯片IGBT是一款高性能的绝缘栅双极型晶体管。这款IGBT具有600V的耐压等级，能够承受高达60A的电流，并且其导通电阻低至208W，大大提高了系统的效率和可靠性。 HGTG30N60B3芯片IGBT采用TO247封装形式，这种封装形式具有高散热性能和低电磁干扰的特点，使得这款芯片在高温、高功率的环境下也能保
-
17
2024-10
onsemi安森美HGTG20N60B3芯片IGBT 600V 40A 165W TO247的技术和应用介绍
标题：onsemi安森美HGTG20N60B3芯片IGBT 600V 40A 165W TO247的技术和应用介绍 安森美（onsemi）作为全球知名的半导体公司，其HGTG20N60B3芯片IGBT 600V 40A 165W TO247在电力电子领域具有广泛的应用前景。这款芯片具有高耐压、大电流、高效率等特点，适用于各种功率电子设备，如逆变器、电机驱动器、电源模块等。 HGTG20N60B3芯片IGBT采用了先进的工艺技术，具有优异的电气性能。其工作频率高，开关损耗小，能够实现高效、快速的
-
16
2024-10
onsemi安森美SGH40N60UFDTU芯片IGBT 600V 40A 160W TO3P的技术和应用介绍
标题：onsemi安森美SGH40N60UFDTU芯片IGBT 600V 40A 160W TO3P技术与应用介绍 onsemi安森美半导体公司是一家全球领先的半导体公司，其生产的SGH40N60UFDTU芯片是一款高性能的IGBT，其600V的电压等级，40A的电流等级和160W的功率等级使其在许多应用领域中具有广泛的应用前景。 SGH40N60UFDTU芯片采用TO3P封装形式，这种封装形式提供了良好的热导性能和机械强度，使其在高温、高负载的应用场景中具有出色的表现。此外，该芯片还具有较高
-
15
2024-10
onsemi安森美SGS23N60UFDTU芯片IGBT 600V 23A 73W TO220F的技术和应用介绍
标题：onsemi安森美SGS23N60UFDTU芯片IGBT 600V 23A 73W TO220F技术与应用介绍 onsemi安森美半导体公司推出的SGS23N60UFDTU芯片IGBT是一款适用于各种电子设备的核心元件，其规格为600V、23A、73W。该芯片采用TO220F封装，具有优良的电气性能和可靠性。 技术特点： 1. 高耐压：600V的额定电压能够支持大电流通过，适合在需要大功率输出的设备中使用。 2. 高电流容量：23A的额定电流可以满足大多数电源和电机控制应用的需求。 3.