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2024-10
onsemi安森美FGH50N6S2D芯片IGBT 600V 75A TO247-3的技术和应用介绍
标题：onsemi安森美FGH50N6S2D芯片IGBT 600V 75A TO247-3技术与应用介绍 安森美（onsemi）是一家全球知名的半导体公司，其FGH50N6S2D芯片IGBT是一种重要的功率半导体器件。该器件具有600V和75A的规格，适用于各种电子设备中。 FGH50N6S2D芯片IGBT采用了先进的工艺技术，具有高耐压、大电流、低损耗等特点。它的应用范围广泛，包括电动汽车、风力发电、太阳能、变频器等领域。该器件具有优异的热稳定性和可靠性，能够承受高频率、高功率的开关操作，是
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2024-10
onsemi安森美ISL9V2040S3ST芯片IGBT 430V 10A TO263AB的技术和应用介绍
标题：onsemi安森美ISL9V2040S3ST芯片IGBT 430V 10A TO263AB的技术与应用介绍 安森美ISL9V2040S3ST芯片是一款高性能的绝缘栅双极晶体管（IGBT），采用TO263AB封装，适用于各种工业应用领域。该芯片具有430V的额定电压和10A的额定电流，适用于需要高效、可靠和耐用的功率转换装置。 技术特点： * 430V的额定电压，确保了足够的电力供应； * 10A的额定电流，提供了足够的驱动能力； * IGBT的开关速度较慢，能够承受更高的频率，适用于需要
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2024-10
onsemi安森美NGTB40N135IHRWG芯片IGBT TRENCH/FS 1350V 80A TO247的技术和应用介绍
标题：onsemi安森美NGTB40N135IHRWG芯片IGBT技术与应用介绍 onsemi安森美NGTB40N135IHRWG芯片是一款具有创新技术的IGBT，其技术特点和应用领域在业界具有很高的地位。 首先，该芯片采用TRENCH/FS技术，这是一种创新的制造工艺，能够在单个芯片上集成多个模块，从而提高效率并降低成本。此外，该芯片的额定电压高达1350V，电流容量为80A，使得它在高功率应用中具有出色的性能。 在应用方面，该芯片适用于各种工业应用，如电机驱动、UPS电源、风能和太阳能发电
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2024-10
onsemi安森美FGAF40S65AQ芯片650V 40A FS4 SA IGBT的技术和应用介绍
标题：onsemi安森美FGAF40S65AQ芯片：技术与应用详解 onsemi安森美作为全球知名的半导体制造商，其FGAF40S65AQ芯片是一款高性能的IGBT（绝缘栅双极型晶体管）芯片，具有卓越的性能和广泛的应用领域。 技术特点： 1. 芯片采用先进的40A，650V技术，适用于大功率的开关应用。 2. 高频性能出色，可在高频领域表现出色，大大提升了设备的效率。 3. 采用了最新的栅极驱动技术，降低了开关损耗，提高了芯片的可靠性。 4. 集成度较高，降低了电路板的复杂性，同时也减少了外部
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2024-10
onsemi安森美NGTB40N120FL2WG芯片IGBT TRENCH/FS 1200V 80A TO247的技术和应用介绍
标题：onsemi安森美NGTB40N120FL2WG芯片IGBT技术与应用介绍 onsemi安森美NGTB40N120FL2WG芯片是一款应用于工业电源和电动汽车等领域的IGBT（绝缘栅双极晶体管）芯片，其技术特点和性能表现引人瞩目。 首先，该芯片采用了先进的TRENCH（槽型）技术，使得芯片内部的电流流动更为顺畅，降低了热损耗和电子噪音，提高了效率。其次，其FS（快速饱和）技术使得芯片能够在更高的电压和电流下工作，同时保持较低的开关损耗。这款芯片的额定电压高达1200V，最大电流可达80A
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2024-10
onsemi安森美NGTB15N120FL2WG芯片IGBT 1200V 15A SOLAR/UPS TO247的技术和应用介绍
标题：onsemi安森美NGTB15N120FL2WG芯片IGBT 1200V 15A SOLAR/UPS TO247技术与应用介绍 onsemi安森美是一家全球知名的半导体公司，其NGTB15N120FL2WG芯片IGBT 1200V 15A SOLAR/UPS TO247是一种重要的电子元件。该芯片广泛应用于太阳能、不间断电源（UPS）等领域，具有较高的性能和可靠性。 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种新型的功率半导体器件，具有开关速度快、功耗低、耐压高等优点。NGTB15N120FL2W
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2024-10
onsemi安森美FGH40N60UFDTU芯片IGBT FIELD STOP 600V 80A TO247-3的技术和应用介绍
标题：onsemi安森美FGH40N60UFDTU芯片IGBT FIELD STOP 600V 80A TO247-3技术与应用详解 安森美半导体（onsemi）作为全球知名的半导体解决方案提供商，其FGH40N60UFDTU芯片IGBT FIELD STOP 600V 80A TO247-3以其独特的技术特点和出色的性能表现，在电力电子领域中发挥着越来越重要的作用。本文将围绕该芯片的技术特点、应用领域、优势以及实际应用案例展开详细介绍。 技术特点： 1. 600V 6A IGBT芯片，采用T
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2024-10
onsemi安森美NGTG35N65FL2WG芯片IGBT FIELD STOP 650V 70A TO247-3的技术和应用介绍
标题：onsemi安森美NGTG35N65FL2WG芯片IGBT FIELD STOP 650V 70A TO247-3技术与应用介绍 安森美（onsemi）作为全球知名的半导体公司，其IGBT FIELD STOP 650V 70A TO247-3芯片以其独特的特性，在电力电子领域中发挥着重要的作用。这款芯片采用先进的工艺技术，具有高效率、高可靠性、低损耗等特点，适用于各种电力电子设备中。 技术特点： 1. 芯片采用TO247-3封装形式，具有较高的耐压和电流容量，适用于大功率应用场景。 2
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2024-10
onsemi安森美FGB20N60SF芯片IGBT FIELD STOP 600V 40A D2PAK的技术和应用介绍
标题：onsemi安森美FGB20N60SF芯片IGBT FIELD STOP 600V 40A D2PAK技术与应用介绍 onsemi安森美是一家全球知名的半导体解决方案提供商，其FGB20N60SF芯片IGBT FIELD STOP 600V 40A D2PAK是一款高性能的半导体器件，广泛应用于各种电子设备中。 FGB20N60SF芯片IGBT FIELD STOP 600V 40A D2PAK采用了先进的半导体技术，具有高耐压、大电流、低损耗等特点。其采用独特的field stop技术
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2024-10
onsemi安森美FGB3040G2-F085C芯片ECOSPARK2 IGN-IGBT TO263的技术和应用介绍
标题：onsemi安森美FGB3040G2-F085C芯片ECOSPARK2 IGN-IGBT TO263技术与应用介绍 onsemi安森美FGB3040G2-F085C芯片，一款采用ECOSPARK2 IGN-IGBT TO263封装技术的优质IGN-IGBT。该芯片以其高效、可靠的性能，广泛应用于各种电子设备中，尤其在电力电子领域中发挥着重要作用。 ECOSPARK2 IGN-IGBT TO263封装技术具有紧凑的尺寸和良好的热导性能，使得FGB3040G2-F085C芯片在各种严苛的工作
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2024-10
onsemi安森美FGP10N60UNDF芯片IGBT NPT 600V 20A TO220-3的技术和应用介绍
标题：onsemi安森美FGP10N60UNDF芯片IGBT NPT 600V 20A TO220-3技术与应用介绍 安森美（onsemi）是一家全球知名的半导体公司，其FGP10N60UNDF芯片IGBT NPT 600V 20A TO220-3是一种高性能的半导体器件，广泛应用于各种电子设备中。本文将介绍该芯片的技术特点、应用领域以及使用注意事项。 一、技术特点 FGP10N60UNDF芯片IGBT NPT 600V 20A TO220-3采用先进的半导体工艺技术制造，具有高耐压、大电流、
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2024-10
onsemi安森美HGTD1N120BNS9A芯片IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA的技术和应用介绍
标题：onsemi安森美HGTD1N120BNS9A芯片：高性能IGBT技术与应用解析 安森美（onsemi）HGTD1N120BNS9A芯片是一款高性能的1200V IGBT（绝缘栅双极晶体管）组件，具有5.3A和60W的功率输出。这款芯片以其出色的性能和广泛的应用领域，在电力转换和电子设备中发挥着关键作用。 首先，我们来了解一下IGBT的基本原理。IGBT是一种复合型半导体器件，具有开关速度快、输入输出电容小的优点，广泛应用于电力电子领域。安森美HGTD1N120BNS9A芯片的出色性能得