芯片产品
热点资讯
- onsemi安森美FGH75T65SHDT-F155芯片IGBT 650V 150A 455W TO-247的技术和应用介绍
- onsemi安森美FGHL40T65MQD芯片IGBT 650V 40A TO247的技术和应用介绍
- Xilinx XC6SLX4-2TQG144I
- onsemi安森美NGB8206NTF4G芯片INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO的技术和应用介绍
- onsemi安森美ADP3421JRU
- onsemi安森美FGD3050G2芯片IGBT 500V 27A DPAK-3的技术和应用介绍
- onsemi安森美NCP81141MNTXG芯片
- onsemi安森美NCP5382MNR2G芯片IC REG CTRLR INTEL 6OUT 48QFN的技术和应用介绍
- onsemi安森美FGB40N60SM芯片IGBT FIELD STOP 600V 80A D2PAK的技术和应用介绍
- onsemi安森美NGTB30N120FL2WG芯片IGBT TRENCH/FS 1200V 60A TO247的技术和应用介绍
-
30
2024-09
onsemi安森美NGB8207BNT4G芯片INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO的技术和应用介绍
标题：onsemi安森美NGB8207BNT4G芯片：绝缘栅双极晶体管技术与应用介绍 安森美半导体（onsemi）以其卓越的技术和创新能力，一直走在电子技术的前沿。最近，该公司推出了一款新型的绝缘栅双极晶体管NGB8207BNT4G，这款芯片以其高效能、低功耗、高集成度等特点，在各类电子设备中发挥着越来越重要的作用。 NGB8207BNT4G是一款高性能的绝缘栅双极晶体管，它结合了双极晶体管的电流驱动能力和场效应晶体管的低功耗的优点。这款芯片采用了先进的工艺技术，具有高耐压、低静态电流和高速开
-
29
2024-09
onsemi安森美FGI3040G2-F085C芯片ECOSPARK2 IGN-IGBT TO262的技术和应用介绍
标题：onsemi安森美FGI3040G2-F085C芯片ECOSPARK2 IGN-IGBT TO262技术与应用详解 onsemi安森美FGI3040G2-F085C芯片以其独特的ECOSPARK2 IGN-IGBT TO262封装形式，为业界提供了高效、可靠的IGBT解决方案。这款芯片在工业、电源和电机控制等领域具有广泛的应用前景。 首先，我们来了解一下ECOSPARK2 IGN-IGBT TO262封装的特点。这种封装形式采用先进的散热技术，能够显著提高芯片的散热性能，从而延长使用寿命
-
28
2024-09
onsemi安森美NGTB25N120FL2WG芯片IGBT FIELD STOP 1200V 50A TO247的技术和应用介绍
标题：onsemi安森美NGTB25N120FL2WG芯片IGBT FIELD STOP 1200V 50A TO247的技术与应用介绍 onsemi安森美推出的NGTB25N120FL2WG芯片IGBT FIELD STOP 1200V 50A TO247，是一款高性能的绝缘栅双极晶体管（IGBT），其技术特点和实际应用广泛。 技术特点： 1. 高效能：该芯片的功率损耗低，工作温度稳定，能提供更高的转换效率。 2. 高耐压：具备1200V的耐压能力，使得它能应用于更高电压的电路中。 3. 高
-
27
2024-09
onsemi安森美FGH40N60SFDTU芯片IGBT FIELD STOP 600V 80A TO247-3的技术和应用介绍
标题：onsemi安森美FGH40N60SFDTU芯片IGBT FIELD STOP 600V 80A TO247-3技术与应用介绍 onsemi安森美FGH40N60SFDTU芯片是一款高性能的IGBT FIELD STOP 600V 80A TO247-3芯片，其独特的特性使其在电力电子应用领域中具有广泛的应用前景。 首先，该芯片采用了先进的600V技术，使得其具有更高的工作电压和更强的耐压能力。同时，其80A的电流规格也使其在驱动大功率负载时具有出色的性能。此外，芯片还采用了TO247-
-
26
2024-09
onsemi安森美HGTG40N60A4芯片IGBT 600V 75A TO247-3的技术和应用介绍
标题：onsemi安森美HGTG40N60A4芯片IGBT 600V 75A TO247-3技术与应用介绍 onsemi安森美HGTG40N60A4芯片IGBT是一款高性能的600V 75A TO247-3封装形式的绝缘栅双极晶体管（IGBT）。这款芯片在许多领域都有广泛的应用，包括电力转换系统、电动车、太阳能逆变器、UPS电源以及风力发电等领域。 HGTG40N60A4芯片IGBT采用了先进的工艺技术，具有高耐压、大电流和高开关速度等特性。这些特性使得它在电力转换系统中扮演着重要的角色，能够
-
25
2024-09
onsemi安森美MGY40N60D芯片TRANS IGBT CHIP N-CH 600V 66A 3P的技术和应用介绍
标题：onsemi安森美MGY40N60D芯片：TRANS IGBT CHIP N-CH 600V 66A 3P技术与应用详解 安森美（onsemi）是一家全球知名的半导体公司，其MGY40N60D芯片是一款高性能的TRANS IGBT CHIP N-CH 600V 66A 3P产品，广泛应用于各种电子设备中。本文将详细介绍该芯片的技术特点、应用领域以及发展趋势。 一、技术特点 MGY40N60D芯片采用了先进的IGBT技术，具有高耐压、大电流、低损耗等特点。其工作频率可达几千赫兹，适用于各种
-
24
2024-09
onsemi安森美MGY40N60芯片IGBT 66A, 600V, N CHANNEL, TO 26的技术和应用介绍
标题：onsemi安森美MGY40N60芯片IGBT 66A，600V，N CHANNEL，TO 26技术与应用介绍 onsemi安森美MGY40N60芯片IGBT是一种高性能的绝缘栅双极型晶体管（IGBT），其特点为具有高耐压、大电流、高开关速度、高过载能力等特性，广泛应用于各种电力电子领域。 技术特性： 1. 66A大电流：MGY40N60芯片的每个通道可以承受高达66A的电流，为各类电力转换设备提供了强大的驱动力。 2. 600V高耐压：具有600V的额定电压，保证了芯片在应用中的安全性
-
23
2024-09
onsemi安森美ISL9V3036S3ST芯片IGBT 360V 21A TO263AB的技术和应用介绍
标题：onsemi ISL9V3036S3ST芯片IGBT 360V 21A TO263AB的技术与应用介绍 onsemi ISL9V3036S3ST芯片是一款高性能的绝缘栅双极晶体管（IGBT），其工作电压高达360V，最大电流高达21A，适用于各种电子设备中。这种芯片具有高耐压、大电流、开关速度快、热稳定性好等特点，因此在电力电子设备中得到了广泛应用。 ISL9V3036S3ST芯片采用了TO263AB封装，这种封装方式具有散热性能好、体积小、易于安装等特点，能够满足大功率器件的散热需求。
-
22
2024-09
onsemi安森美FGB3245G2-F085芯片ECOSPARK2 450V IGNITION IGBT的技术和应用介绍
标题：onsemi安森美FGB3245G2-F085芯片ECOSPARK2 450V IGNITION IGBT技术与应用介绍 安森美（onsemi）是一家全球领先的半导体公司，其FGB3245G2-F085芯片ECOSPARK2 450V IGNITION IGBT是一种高性能的IGBT（绝缘栅双极型晶体管）模块，广泛应用于汽车、工业和消费电子等领域。 ECOSPARK2系列IGBT模块具有出色的热性能和可靠性，适用于各种点火系统应用，如混合动力车和电动汽车。其450V的额定电压和高效的散热
-
21
2024-09
onsemi安森美AFGB40T65RQDN芯片650V/40A FS4 SCR IGBT D2PAK AUTO的技术和应用介绍
标题：onsemi安森美AFGB40T65RQDN芯片：技术与应用解析 安森美（onsemi）是一家全球知名的半导体解决方案提供商，其AFGB40T65RQDN芯片是一款高性能的IGBT模块，具有650V/40A的规格，适用于各种工业和电源应用。 技术特点方面，AFGB40T65RQDN采用了先进的FS4 SCR IGBT技术，具有高效率和卓越的动态性能。其D2PAK封装设计使得它在空间紧凑的设备中也能发挥出色的性能。此外，该芯片还具有自动故障保护功能，确保了系统的稳定性和可靠性。 应用领域方
-
20
2024-09
onsemi安森美MGY30N60D芯片TRANS IGBT CHIP N-CH 600V 50A 3P的技术和应用介绍
标题：onsemi安森美MGY30N60D芯片TRANS IGBT CHIP N-CH 600V 50A 3P技术与应用详解 onsemi安森美MGY30N60D芯片TRANS IGBT CHIP N-CH 600V 50A 3P是一款高性能的氮化镓（GaN）功率半导体器件，广泛应用于电力转换和电源管理领域。本文将深入解析其技术原理、应用领域及优势，帮助读者更好地了解该器件。 一、技术原理 MGY30N60D芯片TRANS IGBT CHIP N-CH 600V 50A 3P采用先进的氮化镓材
-
19
2024-09
onsemi安森美NGTG25N120FL2WG芯片IGBT, 1200V 25A SOLAR/UPS的技术和应用介绍
标题：onsemi安森美NGTG25N120FL2WG芯片IGBT技术与应用详解 onsemi安森美是一家全球知名的半导体公司，其生产的NGTG25N120FL2WG芯片IGBT是一款高性能的半导体器件，广泛应用于各种领域。本文将详细介绍这款芯片的IGBT技术、应用领域以及实际应用案例，帮助读者更好地了解其性能和应用。 一、技术特点 NGTG25N120FL2WG芯片IGBT是一款1200V、25A的IGBT模块，具有高耐压、大电流、低损耗等特点。其内部结构包括多个半导体晶体管，通过控制信号的