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2024-11
onsemi安森美FGA25S125P-SN00337芯片IGBT TRENCH/FS 1250V 50A TO3PN的技术和应用介绍
标题：onsemi安森美FGA25S125P-SN00337芯片IGBT技术与应用介绍 安森美（onsemi）的FGA25S125P-SN00337芯片是一款具有突破性的IGBT（绝缘栅双极型晶体管）技术，它具有1250V的额定电压和50A的电流输出，采用了TO3PN封装形式，为工业和电力电子应用提供了强大的解决方案。 在技术层面，这款芯片采用了先进的栅极驱动技术，使得其驱动效率大大提高，同时降低了开关损耗。此外，其低导通阻抗和高开关速度使其在各种严酷的工作条件下都能保持稳定的工作状态。在温度
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08
2024-11
onsemi安森美FGPF4565芯片IGBT TRENCH/FS 650V TO220F的技术和应用介绍
标题：onsemi安森美FGPF4565芯片IGBT TRENCH/FS 650V TO220F的技术与应用介绍 onsemi安森美FGPF4565芯片是一款具有突破性的IGBT（绝缘栅双极型晶体管）产品，其采用TRENCH/FS技术，具有650V和TO-220F封装形式，适用于各种电子设备中。 技术特点： 1. 高压、高速性能：FGPF4565的650V额定电压和快速开关特性使其在需要高压、高速切换的应用中表现出色。 2. 热效率高：由于采用了TRENCH/FS技术，FGPF4565具有更高
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07
2024-11
onsemi安森美NGTB60N60SWG芯片IGBT 600V 120A 298W TO247的技术和应用介绍
标题：onsemi安森美NGTB60N60SWG芯片IGBT 600V 120A 298W TO247技术与应用详解 安森美（onsemi）作为全球知名的半导体供应商，其NGTB60N60SWG芯片IGBT 600V 120A 298W TO247在电力电子领域具有广泛的应用。这款芯片不仅具有高效、节能、环保等优势，还具有较高的可靠性，是工业、家电、新能源等领域不可或缺的关键元件。 首先，NGTB60N60SWG芯片IGBT 600V 120A 298W TO247的技术特点十分突出。它采用先
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2024-11
onsemi安森美NGTB30N60SWG芯片IGBT 600V 60A 189W TO247的技术和应用介绍
标题：onsemi安森美NGTB30N60SWG芯片IGBT 600V 60A 189W TO247的技术与应用介绍 安森美（onsemi）是一家全球知名的半导体公司，其NGTB30N60SWG芯片IGBT 600V 60A 189W TO247是一种重要的功率半导体器件。这款芯片在工业、电源和电机控制等领域有着广泛的应用。 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种新型的功率半导体器件，具有开关速度快、功耗低、耐压高等优点。NGTB30N60SWG芯片的特性包括600V的额定电压，60A的额定电流，
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04
2024-11
onsemi安森美NGTB40N60IHLWG芯片IGBT 600V 40A TO247的技术和应用介绍
标题：onsemi安森美NGTB40N60IHLWG芯片IGBT 600V 40A TO247的技术和应用介绍 onsemi安森美是一家全球知名的半导体公司，其推出的NGTB40N60IHLWG芯片是一款高性能的IGBT，具有600V 40A的规格，适用于各种电子设备中。 IGBT是一种重要的功率半导体器件，具有较高的开关频率和较低的导通电阻，因此在各种电力电子设备中得到了广泛的应用。NGTB40N60IHLWG芯片采用了TO247封装形式，具有较高的可靠性和稳定性，适用于各种工业、交通、能源
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2024-11
onsemi安森美NGTB30N120LWG芯片IGBT 1200V 30A TO247的技术和应用介绍
标题：onsemi安森美NGTB30N120LWG芯片IGBT 1200V 30A TO247的技术和应用介绍 安森美半导体，全球领先的半导体厂商，其NGTB30N120LWG芯片是一款高性能的绝缘栅双极型晶体管（IGBT），主要应用于各种电力电子系统中。这款芯片的特点是电压高达1200V，电流高达30A，封装为TO247，使其在众多应用场景中具有出色的性能表现。 技术特点： 1. 高效能：NGTB30N120LWG芯片的优异性能得益于其先进的半导体技术，使得其在高电压、大电流的工作环境下仍能
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2024-11
onsemi安森美NGTB15N135IHRWG芯片IGBT TRENCH/FS 1350V 30A TO247的技术和应用介绍
标题：onsemi安森美NGTB15N135IHRWG芯片IGBT技术与应用介绍 安森美（onsemi）是一家全球知名的半导体公司，其NGTB15N135IHRWG芯片IGBT是一种重要的功率半导体器件。这种器件在各种电子设备中发挥着至关重要的作用，如电力转换、电机控制、电源管理等。 NGTB15N135IHRWG芯片IGBT采用了先进的工艺技术，具有高耐压、大电流和高热导率等特点。其工作电压可达1350V，电流容量为30A，这使得它在高功率应用中具有出色的性能。此外，该器件还具有快速开关特性
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2024-11
onsemi安森美NGTB10N60FG芯片IGBT 600V 10A TO220F3的技术和应用介绍
标题：onsemi安森美NGTB10N60FG芯片IGBT 600V 10A TO220F3技术与应用介绍 安森美（onsemi）作为全球知名的半导体供应商，其NGTB10N60FG芯片IGBT 600V 10A TO220F3在电力电子领域具有广泛的应用前景。这款芯片采用先进的半导体技术，具有高效率、高耐压、低损耗等优点，被广泛应用于各种电力电子设备中。 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种新型的功率半导体器件，具有开关速度快、功耗低、耐压高等优点。NGTB10N60FG芯片IGBT 600V
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2024-10
onsemi安森美NGTG50N60FWG芯片IGBT 600V 100A 223W TO247的技术和应用介绍
标题：onsemi安森美NGTG50N60FWG芯片IGBT 600V 100A 223W TO247的技术与应用介绍 安森美（onsemi）是一家全球知名的半导体公司，其生产的IGBT（绝缘栅双极晶体管）芯片NGTG50N60FWG，具有600V 100A 223W的规格，适用于各种电子设备中。TO247封装使得这款芯片在小型化、轻量化方面具有显著优势。 技术特点： 1. NGBT600V100A223W芯片采用先进的半导体技术，具有高开关速度和低损耗，适用于各种需要高效能、低噪音、省电的电
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2024-10
onsemi安森美NGTB30N60FWG芯片IGBT 600V 60A 167W TO247的技术和应用介绍
标题：onsemi安森美NGTB30N60FWG芯片IGBT 600V 60A 167W TO247技术与应用详解 onsemi安森美是一家全球知名的半导体公司，其推出的NGTB30N60FWG芯片IGBT 600V 60A 167W TO247在电力电子领域具有广泛的应用前景。本文将详细介绍该芯片的技术特点、应用领域以及实际应用中的注意事项。 一、技术特点 NGTB30N60FWG芯片IGBT是一款高性能的绝缘栅双极型晶体管（IGBT），具有以下特点： 1. 600V的额定电压和60A的额定
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2024-10
onsemi安森美NGTB30N120FL2WG芯片IGBT TRENCH/FS 1200V 60A TO247的技术和应用介绍
标题：onsemi安森美NGTB30N120FL2WG芯片IGBT技术与应用介绍 onsemi安森美NGTB30N120FL2WG芯片是一款具有代表性的IGBT，其技术特点和实际应用值得我们深入了解。这款芯片采用TRENCH/FS技术，具有1200V、60A的规格，适用于各种需要高效、高功率电子转换的领域。 首先，我们来了解一下IGBT的特点。它是一种复合型功率半导体器件，具有较高的开关频率和功率转换效率，广泛应用于各种需要大功率输出的设备中，如逆变器、变频器、电源等。而TRENCH/FS技术
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2024-10
onsemi安森美FGA30N65SMD芯片IGBT FIELD STOP 650V 60A TO3PN的技术和应用介绍
标题：onsemi安森美FGA30N65SMD芯片IGBT FIELD STOP 650V 60A TO3PN技术与应用介绍 onsemi安森美作为全球知名的半导体制造商，其FGA30N65SMD芯片IGBT FIELD STOP 650V 60A TO3PN在电力电子领域具有广泛的应用前景。这款芯片以其卓越的性能和可靠性，在各种工业应用中发挥着至关重要的作用。 技术特点： FGA30N65SMD芯片采用TO3PN封装，具有出色的热性能和电气性能。该芯片采用先进的IGBT技术，具有更高的开关频