芯片产品
热点资讯
- onsemi安森美FGH75T65SHDT-F155芯片IGBT 650V 150A 455W TO-247的技术和应用
- onsemi安森美FGHL40T65MQD芯片IGBT 650V 40A TO247的技术和应用介绍
- onsemi安森美NGB8206NTF4G芯片INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO的技术和应
- Xilinx XC6SLX4-2TQG144I
- onsemi安森美FGP10N60UNDF芯片IGBT NPT 600V 20A TO220-3的技术和应用介绍
- onsemi安森美NGTB30N120FL2WG芯片IGBT TRENCH/FS 1200V 60A TO247的技术和
- onsemi安森美LA6458SL-E芯片IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 9SIP的技术和应用介绍
- onsemi安森美NCP5382MNR2G芯片IC REG CTRLR INTEL 6OUT 48QFN的技术和应用介绍
- onsemi安森美FGD3050G2芯片IGBT 500V 27A DPAK-3的技术和应用介绍
- onsemi安森美FGB40N60SM芯片IGBT FIELD STOP 600V 80A D2PAK的技术和应用介绍
你的位置:ONSEMI(安森美)半导体IC芯片全系列-亿配芯城 > 芯片产品 > onsemi安森美NGTB50N60FWG芯片IGBT 600V 100A 223W TO247的技术和应用介绍
onsemi安森美NGTB50N60FWG芯片IGBT 600V 100A 223W TO247的技术和应用介绍
- 发布日期:2024-11-23 06:55 点击次数:101
标题:onsemi安森美NGTB50N60FWG芯片IGBT 600V 100A 223W TO247的技术和应用介绍

onsemi安森美公司是一家全球领先半导体供应商,其生产的NGTB50N60FWG芯片IGBT(绝缘栅双极晶体管)在电力电子领域具有重要应用。该芯片是一种电压型驱动的功率半导体器件,具有高频、高效、高速开关及热稳定性等特点,被广泛应用于各种电源设备中。
NGTB50N60FWG芯片IGBT的主要技术参数包括:600V的额定电压,100A的额定电流,以及223W的额定功率。其封装形式为TO247,具有较大的散热面积,能够有效降低工作温度,提高设备稳定性。
在应用方面,NGTB50N60FWG芯片IGBT主要应用于逆变电源、变频空调、风力发电、工业牵引等领域。其优势在于能够实现高效率、高功率密度、高可靠性以及易于集成,因此在这些领域中得到了广泛的应用。同时, 电子元器件采购网 由于其良好的热稳定性,也适用于需要高速开关的电源设备。
此外,随着新能源领域的快速发展,IGBT的市场需求也在不断增长。onsemi安森美公司作为全球知名的半导体供应商,将持续推出高性能的IGBT产品,以满足市场的需求。
总的来说,NGTB50N60FWG芯片IGBT凭借其优异的技术参数和广泛的应用领域,成为了电源设备领域的明星产品。未来,随着新能源领域的进一步发展,其市场前景也将更加广阔。

相关资讯
- onsemi安森美LA6324N-E芯片IC OPAMP GP 4 CIRCUIT 16DIP的技术和应用介绍2025-03-31
- onsemi安森美MC1436CDR2芯片IC OPAMP GP 1 CIRCUIT 8SOIC的技术和应用介绍2025-03-30
- onsemi安森美SC2903N芯片IC OPAMP 8DIP的技术和应用介绍2025-03-29
- onsemi安森美LM358DR2GH芯片IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8SOIC的技术和应用介绍2025-03-28
- onsemi安森美LA6358NL-E芯片IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8DIP的技术和应用介绍2025-03-27
- onsemi安森美LA6458SL-E芯片IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 9SIP的技术和应用介绍2025-03-26