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onsemi安森美NGTB25N120FL2WG芯片IGBT FIELD STOP 1200V 50A TO247的技术和应用介绍
- 发布日期:2024-09-28 07:52 点击次数:177
标题:onsemi安森美NGTB25N120FL2WG芯片IGBT FIELD STOP 1200V 50A TO247的技术与应用介绍
onsemi安森美推出的NGTB25N120FL2WG芯片IGBT FIELD STOP 1200V 50A TO247,是一款高性能的绝缘栅双极晶体管(IGBT),其技术特点和实际应用广泛。
技术特点:
1. 高效能:该芯片的功率损耗低,工作温度稳定,能提供更高的转换效率。
2. 高耐压:具备1200V的耐压能力,使得它能应用于更高电压的电路中。
3. 高电流能力:电流能力达到50A,适合大功率的驱动应用。
4. 快速导通:具有快速导通特性,能在短时间内提供大电流,适用于开关电源等设备。
实际应用:
1. 开关电源:NGTB25N120FL2WG芯片可以作为开关管,应用于开关电源中, 亿配芯城 实现直流到直流的转换。
2. 逆变器:在太阳能发电、风能发电等新能源领域,该芯片可以作为逆变器的核心器件,将直流电转换为交流电。
3. 电动汽车:在电动汽车的电机驱动系统中,IGBT作为功率半导体器件,起着关键作用。
4. 工业电源:在工业电源设备中,该芯片可以作为主控器件,实现电压和电流的调节和控制。
总的来说,onsemi安森美NGTB25N120FL2WG芯片IGBT FIELD STOP 1200V 50A TO247凭借其优异的技术性能和广泛的应用领域,为现代电子设备的发展做出了重要贡献。
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