芯片产品
热点资讯
- onsemi安森美FGH75T65SHDT-F155芯片IGBT 650V 150A 455W TO-247的技术和应用介绍
- onsemi安森美FGHL40T65MQD芯片IGBT 650V 40A TO247的技术和应用介绍
- Xilinx XC6SLX4-2TQG144I
- onsemi安森美NGB8206NTF4G芯片INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO的技术和应用介绍
- onsemi安森美ADP3421JRU
- onsemi安森美FGD3050G2芯片IGBT 500V 27A DPAK-3的技术和应用介绍
- onsemi安森美NCP81141MNTXG芯片
- onsemi安森美NCP5382MNR2G芯片IC REG CTRLR INTEL 6OUT 48QFN的技术和应用介绍
- onsemi安森美FGB40N60SM芯片IGBT FIELD STOP 600V 80A D2PAK的技术和应用介绍
- onsemi安森美NGTB30N120FL2WG芯片IGBT TRENCH/FS 1200V 60A TO247的技术和应用介绍
-
21
2024-11
onsemi安森美NGTB45N60S2WG芯片IGBT 45A 600V TO-247的技术和应用介绍
标题：onsemi安森美NGTB45N60S2WG芯片IGBT 45A 600V TO-247技术与应用介绍 安森美（onsemi）的NGTB45N60S2WG芯片IGBT是一种高性能的半导体器件，具有45A的电流能力和600V的电压规格，适用于各种高功率应用领域。该芯片采用TO-247封装形式，具有紧凑的尺寸和良好的热性能，使其在许多工业和商业设备中得到广泛应用。 技术特点： 1. 高电流能力：NGTB45N60S2WG芯片IGBT具有45A的电流能力，能够承受较大的功率负荷。 2. 高电压
-
20
2024-11
onsemi安森美FGH75T65SHDTLN4芯片FS3 T TO247 75A 650V 4WL的技术和应用介绍
标题：onsemi安森美FGH75T65SHDTLN4芯片FS3 T TO247 75A 650V 4WL技术与应用介绍 onsemi安森美FGH75T65SHDTLN4芯片FS3 T TO247 75A 650V 4WL是一款高性能的功率器件，广泛应用于各种电子设备中。它具有高效率、高功率密度、高可靠性等优点，适用于各种电源、电机驱动、逆变器等应用场景。 技术特点： 1. 额定电压高达75A，650V的超高压能力，能够应对大电流高电压的复杂应用场景。 2. 采用TO247封装形式，具有高功率
-
19
2024-11
onsemi安森美NGTB50N65FL2WAG芯片IGBT FIELD STOP 650V 160A TO247的技术和应用介绍
标题：onsemi安森美NGTB50N65FL2WAG芯片IGBT FIELD STOP 650V 160A TO247的技术与应用介绍 onsemi安森美推出的NGTB50N65FL2WAG芯片IGBT FIELD STOP 650V 160A TO247，是一款高性能的绝缘栅双极晶体管（IGBT），具有卓越的技术特点和广泛的应用领域。 技术特点： 1. 650V耐压：该芯片具有650V的额定电压，能够承受较大的电压和电流。 2. 160A大电流：该芯片的最大电流达到160A，适用于大功率的
-
18
2024-11
onsemi安森美NGTD13T65F2WP芯片IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE的技术和应用介绍
标题：onsemi安森美NGTD13T65F2WP芯片IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE：技术与应用详解 onsemi安森美半导体公司以其卓越的技术和创新能力，为全球电子行业提供了众多优秀的产品，其中包括其独特的NGTD13T65F2WP芯片IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE。这款芯片以其独特的特性和优势，在许多电子设备中发挥着关键作用。 NGTD13T65F2WP芯片IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE采用了先
-
17
2024-11
onsemi安森美FGH40T65SPD-F085芯片IGBT NPT 650V 80A TO247-3的技术和应用介绍
标题：onsemi安森美FGH40T65SPD-F085芯片IGBT NPT 650V 80A TO247-3技术与应用介绍 安森美（onsemi）作为全球知名的半导体公司，其FGH40T65SPD-F085芯片IGBT NPT 650V 80A TO247-3在电力电子领域具有广泛的应用前景。这款芯片采用先进的半导体技术，具有高效、可靠、节能等特点，被广泛应用于各种电力电子设备中，如变频器、电机驱动器、电源转换器等。 FGH40T65SPD-F085芯片IGBT NPT 650V 80A T
-
16
2024-11
onsemi安森美FGA6530WDF芯片IGBT 650V 60A 176W TO3PN的技术和应用介绍
标题：onsemi安森美FGA6530WDF芯片：IGBT 650V 60A 176W TO3PN的技术与应用详解 onsemi安森美FGA6530WDF芯片是一款适用于工业电源和电机驱动的IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) 650V 60A 176W TO3PN。这款高效、可靠的芯片在许多关键应用中发挥着重要作用。 技术特点： * IGBT是一种双极性功率半导体，具有较高的开关速度和功率密度，使其在需要高效能、低损耗的场合具有广泛应用价值。 *
-
15
2024-11
onsemi安森美NGTB10N60R2DT4G芯片IGBT 600V 20A DPAK的技术和应用介绍
标题：onsemi安森美NGTB10N60R2DT4G芯片IGBT 600V 20A DPAK技术与应用详解 onsemi安森美是一家全球知名的半导体公司，其NGTB10N60R2DT4G芯片IGBT是一款高性能的半导体器件，具有600V的电压承受能力和20A的电流输出能力。这款芯片在许多电子设备中都有广泛的应用，如变频空调、电动车、UPS电源等。 首先，我们来了解一下这款芯片的特点。NGTB10N60R2DT4G芯片IGBT采用了先进的工艺制程，具有高耐压、大电流、高频率等特性，适用于各种高
-
14
2024-11
onsemi安森美NGTB50N60S1WG芯片IGBT 50A 600V TO-247的技术和应用介绍
标题：onsemi安森美NGTB50N60S1WG芯片IGBT 50A 600V TO-247的技术和应用介绍 安森美（onsemi）的NGTB50N60S1WG芯片IGBT是一款高性能的50A 600V TO-247封装形式的绝缘栅双极晶体管（IGBT）。这款芯片在许多电子设备中有着广泛的应用，特别是在电力转换和电机驱动等领域。 技术特点： 1. 高电流密度：NGTB50N60S1WG芯片的电流密度高达50A/mm²，使得它能更有效地控制电流，减小了热阻，提高了效率。 2. 高压性能：这款芯
-
13
2024-11
onsemi安森美NGTB20N120IHWG芯片IGBT 20A 1200V TO-247的技术和应用介绍
标题：onsemi安森美NGTB20N120IHWG芯片IGBT 20A 1200V TO-247的技术和应用介绍 安森美（onsemi）是一家全球知名的半导体公司，其NGTB20N120IHWG芯片IGBT是一种重要的功率半导体器件。该器件具有20A的电流容量和1200V的电压规格，适用于各种高功率、高电压的电子设备。 IGBT（绝缘栅双极型晶体管）是一种新型的功率半导体器件，具有开关速度快、电流容量大、热稳定性好等优点。NGTB20N120IHWG芯片采用TO-247封装形式，具有较高的可
-
12
2024-11
onsemi安森美NGTB50N60SWG芯片IGBT 600V 50A TO247的技术和应用介绍
标题：onsemi安森美NGTB50N60SWG芯片IGBT 600V 50A TO247的技术和应用介绍 onsemi安森美是一家全球知名的半导体公司，其NGTB50N60SWG芯片IGBT 600V 50A TO247是一种重要的电子元器件。该芯片采用TO247封装，具有高耐压、大电流和高效率等特点，被广泛应用于各种电子设备中。 首先，NGTB50N60SWG芯片IGBT 600V 50A TO247采用了先进的工艺技术，具有优异的电气性能和可靠性。它具有高开关频率、低损耗和低热阻等优点，
-
11
2024-11
onsemi安森美NGTB40N65IHL2WG芯片IGBT TRENCH/FS 650V 80A TO247-3的技术和应用介绍
标题：onsemi安森美NGTB40N65IHL2WG芯片IGBT技术与应用介绍 onsemi安森美NGTB40N65IHL2WG芯片是一款应用于工业电源和电动汽车等领域的650V 80A IGBT器件，其独特的FS技术使得该芯片在性能和可靠性方面达到了新的高度。 首先，该芯片采用了先进的栅极驱动技术，能够有效地抑制开关过程中的浪涌电流，大大降低了电磁干扰，提高了系统的稳定性。其次，FS技术使得芯片的导通电阻更低，开关速度更快，从而降低了功耗，提高了效率。此外，该芯片还具有更高的耐压和更大的电
-
10
2024-11
onsemi安森美NGTB30N60L2WG芯片IGBT 600V 30A TO247的技术和应用介绍
标题：onsemi安森美NGTB30N60L2WG芯片IGBT 600V 30A TO247的技术和应用介绍 onsemi安森美是一家全球知名的半导体公司，其推出的NGTB30N60L2WG芯片IGBT 600V 30A TO247在电力电子领域具有广泛的应用前景。这款芯片采用了先进的半导体技术，具有高效率、高耐压、低损耗等优点，是实现高效节能电力电子装置的理想选择。 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种新型的功率半导体器件，具有开关速度快、功耗低、耐压高等优点。NGTB30N60L2WG芯片采