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NUP2105LT1G芯片详解：性能参数、应用领域与技术方案 一、芯片性能参数 NUP2105LT1G是一款由安森美（ON Semiconductor）推出的双向瞬态电压抑制二极管（TVS），采用SOT-23封装，专为保护敏感电子设备免受静电放电（ESD）和电气过载（EOS） 的损害而设计。其核心性能参数包括： - 工作电压：5V，适用于低功耗电路的保护； - 峰值脉冲功率：400W，能有效吸收高能瞬态脉冲； - 低钳位电压，确保被保护器件在过压事件中免受损坏； - 响应时间小于1纳秒，提供快

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