NGTB30N120FL2WG 相关话题

标题：onsemi安森美NGTB30N120FL2WG芯片IGBT技术与应用介绍 onsemi安森美NGTB30N120FL2WG芯片是一款具有代表性的IGBT，其技术特点和实际应用值得我们深入了解。这款芯片采用TRENCH/FS技术，具有1200V、60A的规格，适用于各种需要高效、高功率电子转换的领域。 首先，我们来了解一下IGBT的特点。它是一种复合型功率半导体器件，具有较高的开关频率和功率转换效率，广泛应用于各种需要大功率输出的设备中，如逆变器、变频器、电源等。而TRENCH/FS技术