NGB8207NT4G 相关话题

标题：onsemi安森美NGB8207NT4G芯片IGBT 365V 20A 165W D2PAK技术与应用详解 onsemi安森美NGB8207NT4G芯片IGBT是一款高性能的半导体功率器件，具有365V 20A的规格和高达165W的输出功率。它采用D2PAK封装，具有体积小、效率高、耐压高、电流大等特点，适用于各种电源和电机控制应用。 技术解析：NGB8207NT4G芯片IGBT采用了先进的栅极驱动技术，降低了驱动所需的电流和时间，提高了驱动的可靠性和效率。同时，它还采用了分立式热沉结构