欢迎来到亿配芯城! | 免费注册
你的位置:ONSEMI(安森美)半导体IC芯片全系列-亿配芯城 > 话题标签 > NE5230DR2G

NE5230DR2G 相关话题

TOPIC

标题:onsemi安森美NE5230DR2G芯片IC OPAMP GP 1 CIRCUIT 8SOIC的技术和应用介绍 onsemi安森美NE5230DR2G芯片IC OPAMP GP 1 CIRCUIT 8SOIC是一款高性能运算放大器,具有出色的性能和广泛的应用领域。 技术特点: * 高增益:NE5230DR2G芯片IC OPAMP GP 1 CIRCUIT具有高输入阻抗和低噪声特性,使其成为高阻抗系统和微弱信号处理的理想选择。 * 宽工作电压范围:NE5230DR2G可在宽电压范围内工作
  • 共 1 页/1 条记录