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标题:onsemi安森美FGH75T65UPD芯片IGBT 650V 150A 375W TO-247AB的技术和应用介绍 onsemi安森美FGH75T65UPD芯片是一款高性能的IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) 650V 150A 375W TO-247AB封装产品,具有广泛的技术和应用前景。 技术特性方面,FGH75T65UPD采用了先进的IGBT技术,具有更高的开关速度和更低的功耗。其650V的电压规格能够承受较大的电流和功率,适用于各种
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