FGH4L40T120LQD 相关话题

标题：onsemi安森美FGH4L40T120LQD芯片：技术、应用及特性解析 随着电力电子技术的飞速发展，onsemi安森美FGH4L40T120LQD芯片以其卓越的性能和广泛的应用领域，成为了业界关注的焦点。这款芯片是一款1200V、40A的FSIII IGBT，具有低VCESAT（饱和电压）的特点，为现代电力电子应用提供了强大的支持。 技术特点： 1. 高压性能：FGH4L40T120LQD芯片能够在1200V的电压平台上工作，为大型电源系统，如电动汽车和可再生能源系统，提供了强大的功率