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标题:onsemi安森美FGB5N60UNDF芯片IGBT NPT 600V 10A D2PAK技术与应用介绍 onsemi安森美FGB5N60UNDF芯片是一款高性能的绝缘栅双极晶体管(IGBT),其额定电压高达600V,电流容量为10A,封装为D2PAK,适用于各种电子设备中。这款芯片以其出色的性能和广泛的应用领域,成为了市场上的热门选择。 技术特点: 1. 高电压:FGB5N60UNDF芯片的额定电压高达600V,能够承受较高的电压和电流,适用于需要大功率输出的设备。 2. 高电流容量:
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