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onsemi安森美FGB3245G2-F085C芯片IGNITION IGBT, 450V, 23A, 1.3V,的技术和应用介绍
2024-09-14
标题:onsemi安森美FGB3245G2-F085C芯片IGNITION IGBT技术与应用详解 安森美(onsemi)的FGB3245G2-F085C芯片IGNITION IGBT是一款高性能的IGBT模块,适用于各种工业和汽车应用。它具有450V的额定电压,高达23A的电流容量,以及低至1.3V的栅极电压,为设计人员提供了极大的灵活性。 技术特点: 1. 高压性能:FGB3245G2-F085C芯片具有出色的高压性能,适用于需要高电压和大电流的应用场景。 2. 低栅极电压:其低至1.3V
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