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标题：onsemi安森美MGY30N60D芯片TRANS IGBT CHIP N-CH 600V 50A 3P技术与应用详解 onsemi安森美MGY30N60D芯片TRANS IGBT CHIP N-CH 600V 50A 3P是一款高性能的氮化镓（GaN）功率半导体器件，广泛应用于电力转换和电源管理领域。本文将深入解析其技术原理、应用领域及优势，帮助读者更好地了解该器件。 一、技术原理 MGY30N60D芯片TRANS IGBT CHIP N-CH 600V 50A 3P采用先进的氮化镓材